日本系统大厂Panasonic旗下半导体子公司Panasonic Semiconductor Solutions（PSCS）与晶圆代工厂联电宣告战略协作，两边将一起针对新一代可变电阻式存储器（ReRAM）协作开发次世代40纳米制程技术，估计2018年能够开始送样。
因为DRAM及2D NAND Flash制程微缩已达物理瓶颈，除在晶体管架构上往3D架构发展外，新一代ReRAM已成很多存储器厂或系统业者争相布局的市场。PSCS在与日本富士通（Fujitsu）协作开发ReRAM后，昨日宣告与联电树立协作关系，投入40纳米ReRAM制程开发。
ReRAM是与NAND Flash一样的非挥发性存储器，可藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜，产生的大幅度电阻变化以记载1和0。其制程化繁为简，由两电极间简略单纯金属氧化物架构构成，使其同时有低功耗和高写入速度的长处。
PSCS于2013年即开始量产0.18微米制程ReRAM，并与8位元微控制器一起搭载在便携式医疗装配傍边。
PSCS指出，此次的协作联合了PSCS研发的40纳米ReRAM制程技术，和联电具高靠得住性的CMOS制程技术，协作开发的次世代ReRAM不只能运用在IC卡及穿着装配，也能大批运用在成长迅速的物联网运用中，有关芯片将在2018年开始进行送样，并可望在2019年进入量产。
Panasonic的目的是希望联合联电的晶圆代工能力，藉由扩展ReRAM量产产能，来争取如今由三星、东芝等大厂主导的NAND Flash的部份市场。
起源：中时电子报
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